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文献

J-GLOBAL ID：200902256169573545 整理番号：09A0458581

低オン抵抗の高破壊電圧電界効果トランジスタのためのシリコン基板上のAlGaN/GaN/AlGaN二重ヘテロ構造

AlGaN/GaN/AlGaN Double Heterostructures on Silicon Substrates for High Breakdown Voltage Field-Effect Transistors with low On-Resistance

著者 (11件)：

VISALLI Domenica

(Interuniversity Microelectronics Center (IMEC), Leuven, BEL)

,

VISALLI Domenica

(Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, BEL)

,

VAN HOVE Marleen

(Interuniversity Microelectronics Center (IMEC), Leuven, BEL)

,

DERLUYN Joff

(Interuniversity Microelectronics Center (IMEC), Leuven, BEL)

,

DEGROOTE Stefan

(Interuniversity Microelectronics Center (IMEC), Leuven, BEL)

,

LEYS Maarten

(Interuniversity Microelectronics Center (IMEC), Leuven, BEL)

,

CHENG Kai

(Interuniversity Microelectronics Center (IMEC), Leuven, BEL)

,

CHENG Kai

(Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, BEL)

,

GERMAIN Marianne

(Interuniversity Microelectronics Center (IMEC), Leuven, BEL)

,

BORGHS Gustaaf

(Interuniversity Microelectronics Center (IMEC), Leuven, BEL)

,

BORGHS Gustaaf

(Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, BEL)

資料名：

Japanese Journal of Applied Physics (Japanese Journal of Applied Physics)

巻： 48 号： 4,Issue 2 ページ： 04C101.1-04C101.4 発行年： 2009年04月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

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