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文献
J-GLOBAL ID:200902256201752783   整理番号:08A0657819

レジスト中の光電子飛跡追跡による極端紫外線リソグラフィーのシミュレーション

Extreme Ultraviolet Lithography Simulation by Tracing Photoelectron Trajectories in Resist
著者 (6件):
KOTERA Masatoshi
(Osaka Inst. of Technol., Osaka, JPN)
YAGURA Kei
(Osaka Inst. of Technol., Osaka, JPN)
YAGURA Kei
(NuFlare Technol., Inc., Shizuoka, JPN)
TANAKA Hiroyuki
(Osaka Inst. of Technol., Osaka, JPN)
KAWANO Daichi
(Osaka Inst. of Technol., Osaka, JPN)
MAEKAWA Takeshi
(Osaka Inst. of Technol., Osaka, JPN)

資料名:
Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)

巻: 47  号: 6 Issue 2  ページ: 4944-4949  発行年: 2008年06月25日 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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