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著者 (7件)：
資料名：
巻： 85 号： 18 ページ： 4139-4141 発行年： 2004年11月01日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902256412029735
整理番号：04A0858935
走査型非線形誘電顕微鏡法を用いた二重ゲート金属酸化物半導体電界効果トランジスタの垂直方向超薄チャネルにおけるドーパントプロファイリング
Dopant profiling in vertical ultrathin channels of double-gate metal-oxide-semiconductor field-effect transistors by using scanning nonlinear dielectric microscopy
MASAHARA M
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
HOSOKAWA S
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
MATSUKAWA T
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
ENDO K
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
NAITOU Y
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
TANOUE H
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
SUZUKI E
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 85 号： 18 ページ： 4139-4141 発行年： 2004年11月01日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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