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J-GLOBAL ID：200902256556058489 整理番号：08A0938795

Ta電極をもつCoO抵抗ランダムアクセスメモリにおける電圧極性依存低電力及び高速抵抗スイッチング

Voltage polarity dependent low-power and high-speed resistance switching in CoO resistance random access memory with Ta electrode

著者 (7件)：

SHIMA Hisashi

(Nanotechnology Res. Inst. (NRI), National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba Central 2 ...)

TAKANO Fumiyoshi

(Nanotechnology Res. Inst. (NRI), National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba Central 2 ...)

MURAMATSU Hidenobu

(Nanotechnology Res. Inst. (NRI), National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba Central 2 ...)

AKINAGA Hiro

(Nanotechnology Res. Inst. (NRI), National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba Central 2 ...)

TAMAI Yukio

(Advanced Technol. Res. Laboratories, Corporate Res. and Dev. Group, Sharp Corp., 1 Asahi, Daimon-cho, Fukuyama ...)

INQUE Isao H.

(Correlated Electron Res. Center (CERC), National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba ...)

TAKAGI Hidenori

(Correlated Electron Res. Center (CERC), National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba ...)

資料名：

Applied Physics Letters (Applied Physics Letters)

巻： 93 号： 11 ページ： 113504 発行年： 2008年09月15日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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