文献
J-GLOBAL ID:200902256713801344
整理番号:05A0063453
p-型ドーピングに対する繰返し温度変調エピタクシーとZnO基の発光ダイオード
Repeated temperature modulation epitaxy for p-type doping and light-emitting diode based on ZnO
著者 (9件):
TSUKAZAKI A
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
OHTOMO A
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
ONUMA T
(Univ. Tsukuba, Tsukuba, JPN)
,
MAKINO T
(Inst. Physical and Chemical Res., Sendai, JPN)
,
SUMIYA M
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
CHICHIBU S F
(Univ. Tsukuba, Tsukuba, JPN)
,
FUKE S
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
SEGAWA Y
(Inst. Physical and Chemical Res., Sendai, JPN)
,
KOINUMA H
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名:
Nature Materials
(Nature Materials)
巻:
4
号:
1
ページ:
42-46
発行年:
2005年01月
JST資料番号:
W1364A
ISSN:
1476-1122
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)