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文献
J-GLOBAL ID:200902257023453382   整理番号:04A0628689

極めて純度の高い水素化微結晶Si薄膜中への酸素不純物のドーピング

Oxygen impurity doping into ultrapure hydrogenated microcrystalline Si films
著者 (2件):
KAMEI T
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
WADA T
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)

資料名:
Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)

巻: 96  号:ページ: 2087-2090  発行年: 2004年08月15日 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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