文献
J-GLOBAL ID:200902257023453382
整理番号:04A0628689
極めて純度の高い水素化微結晶Si薄膜中への酸素不純物のドーピング
Oxygen impurity doping into ultrapure hydrogenated microcrystalline Si films
著者 (2件):
KAMEI T
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
WADA T
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
96
号:
4
ページ:
2087-2090
発行年:
2004年08月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)