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著者 (5件)：
資料名：
巻： 85 号： 18 ページ： 4043-4045 発行年： 2004年11月01日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902257123822202
整理番号：04A0858903
分子ビームエピタクシーによって(411)A-InP基板上に成長させた仮像In0.74Ga0.26As/In0.46Al0.54As変調ドープ量子井戸の非常に大きな電子移動度
Extremely high electron mobility of pseudomorphic In0.74Ga0.26As/In0.46Al0.54As modulation-doped quantum wells grown on (411)A InP substrates by molecular-beam epitaxy
KITADA T
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
AOKI T
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
WATANABE I
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
SHIMOMURA S
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
HIYAMIZU S
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 85 号： 18 ページ： 4043-4045 発行年： 2004年11月01日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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