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文献
J-GLOBAL ID:200902257326411739   整理番号:06A0921127

半導体表面からの励起電子誘起脱離(I)ハロゲン吸着シリコンへの電子・正孔注入の場合

Desorption Induced by Excited Electrons from Semiconductor Surfaces (I)-Desorption Induced by Electron-/hole-injection into Halogen-adsorbed Silicon Surfaces-
著者 (2件):
首藤健一
(横浜国大)
田中正俊
(横浜国大)

資料名:
真空  (Journal of the Vacuum Society of Japan)

巻: 49  号: 10  ページ: 600-604  発行年: 2006年10月20日 
JST資料番号: G0194A  ISSN: 0559-8516  CODEN: SHINA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 文献レビュー  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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