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資料名：
巻： 83 号： 14 ページ： 2946-2948 発行年： 2003年10月06日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902257688231020
整理番号：03A0724014
n-ZnO/p-Si構造を用いた紫外領域強化フォトダイオード
Ultraviolet-enhanced photodiode employing n-ZnO/p-Si structure
JEONG I-S
(Yonsei Univ., Seoul, KOR)
,
KIM J H
(Yonsei Univ., Seoul, KOR)
,
IM S
(Yonsei Univ., Seoul, KOR)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 83 号： 14 ページ： 2946-2948 発行年： 2003年10月06日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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