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文献
J-GLOBAL ID:200902257726882250   整理番号:03A0698017

スパッタTaN膜における自然酸化物成長の抑制とそのCuの無電解メッキへの応用

Suppression of native oxide growth in sputtered TaN films and its application to Cu electroless plating
著者 (5件):
WANG Z
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
YAEGASHI O
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
SAKAUE H
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
TAKAHAGI T
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
SHINGUBARA S
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)

資料名:
Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)

巻: 94  号:ページ: 4697-4701  発行年: 2003年10月01日 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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