文献
J-GLOBAL ID:200902257726882250
整理番号:03A0698017
スパッタTaN膜における自然酸化物成長の抑制とそのCuの無電解メッキへの応用
Suppression of native oxide growth in sputtered TaN films and its application to Cu electroless plating
著者 (5件):
WANG Z
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
YAEGASHI O
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
SAKAUE H
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
TAKAHAGI T
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
SHINGUBARA S
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
94
号:
7
ページ:
4697-4701
発行年:
2003年10月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)