Sorry, this section is only available in Japanese.
前のページに戻る この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写(冊子体のコピー)をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID:200902258006467392   整理番号:08A0781505

トップΩ形状AuコンタクトをもつバックゲートZnOナノワイアー電界効果トランジスタ

Back-gate ZnO nanowire field-effect transistors each with a top Ω shaped Au contact
著者 (6件):
YANG W. Q.
(State Key Lab for Mesoscopic Physics and Dep. of Physics, Peking Univ., Beijing 100871, People’s Republic of China)
DAI L.
(State Key Lab for Mesoscopic Physics and Dep. of Physics, Peking Univ., Beijing 100871, People’s Republic of China)
MA R. M.
(State Key Lab for Mesoscopic Physics and Dep. of Physics, Peking Univ., Beijing 100871, People’s Republic of China)
LIU C.
(State Key Lab for Mesoscopic Physics and Dep. of Physics, Peking Univ., Beijing 100871, People’s Republic of China)
SUN T.
(State Key Lab for Mesoscopic Physics and Dep. of Physics, Peking Univ., Beijing 100871, People’s Republic of China)
QIN G. G.
(State Key Lab for Mesoscopic Physics and Dep. of Physics, Peking Univ., Beijing 100871, People’s Republic of China)

資料名:
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

巻: 93  号:ページ: 033102  発行年: 2008年07月21日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写(コピー)して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写(コピー)は郵送またはFAXでお送りします

※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。