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著者 (9件)：
資料名：
巻： 67th ページ： 68-71 発行年： 2004年12月09日
JST資料番号： F0108B 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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文献
J-GLOBAL ID：200902258287309200
整理番号：05A0213615
45nmノード以降デバイス対応歪み制御素子分離技術
A Novel Shallow Trench Isolation Process from the View Point of Total Strain Process Design for 45nm Node Devices and Beyond
石橋真人
(ルネサステクノロジ)
,
堀田勝之
(ルネサステクノロジ)
,
沢田真人
(ルネサステクノロジ)
,
北沢雅志
(ルネサステクノロジ)
,
五十嵐元繁
(ルネサステクノロジ)
,
黒井隆
(ルネサステクノロジ)
,
栄森貴尚
(ルネサステクノロジ)
,
小林清輝
(ルネサステクノロジ)
,
犬石昌秀
(ルネサステクノロジ)
資料名：
半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集
(Proceedings of the Symposium on Semiconductors and Integrated Circuits Technology)
巻： 67th ページ： 68-71 発行年： 2004年12月09日
JST資料番号： F0108B 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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