文献
J-GLOBAL ID:200902258425005668
整理番号:08A0565422
半導体素子製造用のプラズマエッチング技術の開発
Developments of Plasma Etching Technology for Fabricating Semiconductor Devices
著者 (3件):
ABE Haruhiko
(LTEC Corp., Hyogo, JPN)
,
YONEDA Masahiro
(Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN)
,
FUJIWARA Nobuo
(Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
47
号:
3 Issue 1
ページ:
1435-1455
発行年:
2008年03月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
解説
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)