文献
J-GLOBAL ID:200902258880711538
整理番号:09A0458580
低オン抵抗の4H-SiCトレンチ酸化金属半導体電界効果トランジスタ
4H-SiC Trench Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors with Low On-Resistance
著者 (5件):
NAKANO Yuki
(ROHM Co., Ltd., Kyoto, JPN)
,
MUKAI Toshikazu
(ROHM Co., Ltd., Kyoto, JPN)
,
NAKAMURA Ryota
(ROHM Co., Ltd., Kyoto, JPN)
,
NAKAMURA Takashi
(ROHM Co., Ltd., Kyoto, JPN)
,
KAMISAWA Akira
(ROHM Co., Ltd., Kyoto, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
48
号:
4,Issue 2
ページ:
04C100.1-04C100.4
発行年:
2009年04月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)