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文献
J-GLOBAL ID:200902260104536542   整理番号:03A0814080

RFスパッタ法で作製した不均一AlドープZnO薄膜の結晶状態と電気特性との関係

Relationship between Crystal Structure and Electrical Properties of Nonuniform Al-Doped ZnO Thin Films Prepared by RF Magnetron Sputtering
著者 (5件):
菅原智明
(北海道工技セ)
下野功
(北海道工技セ)
辻野二朗
(北海道電力)
本間工士
(北海道電力)
福田永
(室蘭工大)

資料名:
日本セラミックス協会学術論文誌  (Journal of the Ceramic Society of Japan)

巻: 111  号: 1299  ページ: 831-836  発行年: 2003年11月01日 
JST資料番号: F0382A  ISSN: 0914-5400  CODEN: JCSJEW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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