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資料名：
巻： 21 号： 1 ページ： 326-328 発行年： 2003年01月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902260198699350
整理番号：03A0201686
SIMOX基板上に低圧化学蒸着し熱処理したSi/SiGeに関する電気的研究
Electrical investigation on low-pressure chemical-vapor-deposited and thermal-processed Si/SiGe on a SIMOX substrate.
FUJINAGA K
(Hokkaido Inst. Technol., Sapporo, JPN)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 21 号： 1 ページ： 326-328 発行年： 2003年01月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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