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著者 (7件)：
資料名：
巻： 44 号： 4B ページ： 2351-2356 発行年： 2005年04月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902260734763466
整理番号：05A0535197
Vth制御可能な4端子2重ゲートMOSFETに関する素子設計の考察
Device Design Consideration for Vth-Controllable Four-Terminal Double-Gate Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
MASAHARA Meishoku
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
LIU Yongxun
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
SAKAMOTO Kunihiro
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
ENDO Kazuhiko
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
SEKIGAWA Toshihiro
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
MATSUKAWA Takashi
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
SUZUKI Eiichi
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 44 号： 4B ページ： 2351-2356 発行年： 2005年04月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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