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J-GLOBAL ID:200902260976762928   整理番号:03A0547794

MgOドープBa0.7Sr0.3TiO3絶縁層を用いた金属-強誘電体-金属-絶縁体-半導体構造における保持時間の改善

Improvement in retention time of metal-ferroelectric-metal- insulator-semiconductor structures using MgO doped Ba0.7Sr0.3TiO3 insulator layer
著者 (2件):
TSENG T Y
(National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN)
LEE S Y
(National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN)

資料名:
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

巻: 83  号:ページ: 981-983  発行年: 2003年08月04日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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