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著者 (7件)：
資料名：
巻： 93 号： 11 ページ： 112108 発行年： 2008年09月15日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902261035000020
整理番号：08A0938750
低温における分子ビームエピタクシーによるGe(111)上への強磁性フルホイスラー合金Fe2MnSiの成長
Low-temperature molecular beam epitaxy of a ferromagnetic full-Heusler alloy Fe2MnSi on Ge(111)
UEDA K.
(Dep. of Electronics, Kyushu Univ., 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, JPN)
,
HAMAYA K.
(Dep. of Electronics, Kyushu Univ., 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, JPN)
,
YAMAMOTO K.
(Dep. of Electronics, Kyushu Univ., 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, JPN)
,
ANDO Y.
(Dep. of Electronics, Kyushu Univ., 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, JPN)
,
SADOH T.
(Dep. of Electronics, Kyushu Univ., 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, JPN)
,
MAEDA Y.
(Dep. of Energy Sci. and Technol., Kyoto Univ., Sakyo-ku, Kyoto 606-8501, JPN)
,
MIYAO M.
(Dep. of Electronics, Kyushu Univ., 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 93 号： 11 ページ： 112108 発行年： 2008年09月15日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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