文献
J-GLOBAL ID:200902261114389684
整理番号:03A0509493
Si2H6とPH3を用いて堆積した,その場りんドープ非晶質シリコン膜の固相結晶化挙動
Solid-phase crystallization behaviors of in situ phosphorous-doped amorphous silicon films deposited using Si2H6 and PH3
著者 (4件):
YOKOYAMA S
(Keio Univ., Kanagawa, JPN)
,
ONIZUKA H
(Keio Univ., Kanagawa, JPN)
,
YOSHIZAWA Y
(Keio Univ., Kanagawa, JPN)
,
KUWANO H
(Keio Univ., Kanagawa, JPN)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
94
号:
1
ページ:
770-773
発行年:
2003年07月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)