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文献
J-GLOBAL ID:200902261162313630   整理番号:07A0762978

原材料に起因したHf酸化膜中メタル不純物の分析とTDDB寿命への影響

Analysis of Metal Impurity in Hf Oxide Originated in Source Materials and Its Impact on TDDB Lifetime
著者 (7件):
井上真雄
(ルネサス テクノロジ)
土本淳一
(ルネサス テクノロジ)
野村幸司
(ルネサスセミコンダクタエンジニアリング)
水谷斉治
(ルネサス テクノロジ)
由上二郎
(ルネサス テクノロジ)
吉村秀文
(ルネサス テクノロジ)
児島雅之
(ルネサス テクノロジ)

資料名:
半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集  (Proceedings of the Symposium on Semiconductors and Integrated Circuits Technology)

巻: 71st  ページ: 23-26  発行年: 2007年07月12日 
JST資料番号: F0108B  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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