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著者 (4件)：
資料名：
巻： 43 号： 1 ページ： 385-388 発行年： 2004年01月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902261659801841
整理番号：04A0211793
Si結晶(100)表面近傍での微細格子歪に関するX線トポグラフィー観察
X-Ray Topographic Observations of Minute Lattice Distortion near the Surface of (100) Silicon Crystals
FUKUMORI T
(Miyazaki Univ., Miyazaki, JPN)
,
FUTAGAMI K
(Kyushu Sangyo Univ., Fukuoka, JPN)
,
SAKAMOTO M
(Asahi Kasei Microsystem Kyushu Co., Tokyo, JPN)
,
HIROOKA S
(Seiko Epson Corp., Nagano, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 43 号： 1 ページ： 385-388 発行年： 2004年01月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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