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著者 (9件)：
資料名：
巻： 2 号： 10 ページ： 101001.1-101001.3 発行年： 2009年10月25日
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902261896289888
整理番号：09A1139197
炭素マスク層を使った選択的成長手法に基づくGaNの横方向極性制御
Lateral Polarity Control in GaN Based on Selective Growth Procedure Using Carbon Mask Layers
MATSUMURA Hisashi
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
KANEMATSU Yasuo
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
SHIMURA Takayoshi
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
TAMAKI Takayuki
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
OZEKI Yasuyuki
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
ITOH Kazuyoshi
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
SUMIYA Masatomo
(National Inst. Materials Sci., Ibaraki, JPN)
,
NAKANO Takayuki
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
FUKE Shunro
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 2 号： 10 ページ： 101001.1-101001.3 発行年： 2009年10月25日
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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