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文献
J-GLOBAL ID:200902262634197385   整理番号:09A0717444

真空紫外光/オゾン処理を用いて作製した低リークp型ダイヤモンドSchottkyダイオード

Low-leakage p-type diamond Schottky diodes prepared using vacuum ultraviolet light/ozone treatment
著者 (4件):
TERAJI T.
(Sensor Materials Center, National Inst. for Materials Sci., 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, JPN)
GARINO Y.
(Sensor Materials Center, National Inst. for Materials Sci., 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, JPN)
KOIDE Y.
(Sensor Materials Center, National Inst. for Materials Sci., 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, JPN)
ITO T.
(Dep. of Electrical, Electronic and Information Engineering, Graduate School of Engineering, Osaka Univ., 2-1 ...)

資料名:
Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)

巻: 105  号: 12  ページ: 126109  発行年: 2009年06月15日 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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