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資料名：
巻： 42 号： 7B ページ： 4636-4638 発行年： 2003年07月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902262847627650
整理番号：03A0563693
GaN(0001)のエピタキシャル成長中のSiC(0001)上の窒素の動力学の第一原理計算
First-Principles Calculation of the Dyanamics of Nitrogen on the SiC(0001) Surface during the Epitaxial Growth of GaN(0001)
ISHII A
(Tottori Univ., Tottori, JPN)
,
KOYAMA S
(Tottori Univ., Tottori, JPN)
,
AISAKA T
(Tottori Univ., Tottori, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 42 号： 7B ページ： 4636-4638 発行年： 2003年07月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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