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著者 (5件)：
資料名：
巻： 93 号： 19 ページ： 192107 発行年： 2008年11月10日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902263154213271
整理番号：08A1145427
湿式O2焼なましによる非晶質酸化物薄膜トランジスタの欠陥不動態化と均一化
Defect passivation and homogenization of amorphous oxide thin-film transistor by wet O2 annealing
NOMURA Kenji
(ERATO-SORST, JST, in Frontier Res. Center, Mail Box S2-13, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku ...)
,
KAMIYA Toshio
(ERATO-SORST, JST, in Frontier Res. Center, Mail Box S2-13, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku ...)
,
OHTA Hiromichi
(ERATO-SORST, JST, in Frontier Res. Center, Mail Box S2-13, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku ...)
,
HIRANO Masahiro
(ERATO-SORST, JST, in Frontier Res. Center, Mail Box S2-13, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku ...)
,
HOSONO Hideo
(ERATO-SORST, JST, in Frontier Res. Center, Mail Box S2-13, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku ...)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 93 号： 19 ページ： 192107 発行年： 2008年11月10日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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