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著者 (9件)：
資料名：
巻： 43 号： 2 ページ： 498-503 発行年： 2004年02月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902263798998997
整理番号：04A0255431
低k二次元周期多孔質シリカ膜における弾性定数と誘電率の理論解析
Theoretical Analysis of Elastic Modulus and Dielectric Constant for Low-k Two-Dimensional Periodic Porous Silica Films
MIYOSHI H
(Assoc. Super-Advanced Electronics Technol. (ASET), Ibaraki, JPN)
,
MATSUO H
(Assoc. Super-Advanced Electronics Technol. (ASET), Ibaraki, JPN)
,
OKU Y
(Assoc. Super-Advanced Electronics Technol. (ASET), Ibaraki, JPN)
,
TANAKA H
(Assoc. Super-Advanced Electronics Technol. (ASET), Ibaraki, JPN)
,
YAMADA K
(Assoc. Super-Advanced Electronics Technol. (ASET), Ibaraki, JPN)
,
MIKAMI N
(Assoc. Super-Advanced Electronics Technol. (ASET), Ibaraki, JPN)
,
TAKADA S
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
HATA N
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
KIKKAWA T
(Assoc. Super-Advanced Electronics Technol. (ASET), Ibaraki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 43 号： 2 ページ： 498-503 発行年： 2004年02月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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