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資料名：
巻： 89 号： 18 ページ： 183520-183520-3 発行年： 2006年10月30日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902264044952393
整理番号：06A0896723
複数島状構造ベースのSi単一電子トランジスタにおける協調トンネリング
Cotunneling current in Si single-electron transistor based on multiple islands
OHKURA Kensaku
(Res. Center for Nanodevices and Systems, Hiroshima Univ., 1-4-2 Kagamiyama, Higashi-Hiroshima, Hiroshima 739-8527, JPN)
,
KITADE Tetsuya
(Res. Center for Nanodevices and Systems, Hiroshima Univ., 1-4-2 Kagamiyama, Higashi-Hiroshima, Hiroshima 739-8527, JPN)
,
NAKAJIMA Anri
(Res. Center for Nanodevices and Systems, Hiroshima Univ., 1-4-2 Kagamiyama, Higashi-Hiroshima, Hiroshima 739-8527, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 89 号： 18 ページ： 183520-183520-3 発行年： 2006年10月30日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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