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著者 (4件)：
資料名：
巻： 21 号： 4 ページ： 1828-1838 発行年： 2003年07月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902264664592311
整理番号：03A0612153
誘電体膜によるGaN及びGaN/AlGaNヘテロ構造の表面不動態化とその絶縁ゲートヘテロ構造トランジスタへの適用
Surface passivation of GaN and GaN/AlGaN heterostructures by dielectric films and its application to insulated-gate heterostructure transistors
HASHIZUME T
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
OOTOMO S
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
INAGAKI T
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
HASEGAWA H
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 21 号： 4 ページ： 1828-1838 発行年： 2003年07月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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