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文献
J-GLOBAL ID:200902265708957610   整理番号:04A0365105

電子ビーム励起プラズマによるシリコン酸化物エッチングプロセス

Silicon-oxide etching process employing an electron-beam-excited plasma
著者 (7件):
ITO M
(Wakayama Univ., Wakayama, JPN)
TAKEDA K
(Wakayama Univ., Wakayama, JPN)
SHIINA T
(Wakayama Univ., Wakayama, JPN)
OKAMURA Y
(Wakayama Univ., Wakayama, JPN)
NAGAI H
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
HORI M
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
GOTO T
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)

資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)

巻: 22  号:ページ: 543-547  発行年: 2004年03月 
JST資料番号: E0974A  ISSN: 1071-1023  CODEN: JVTBD9  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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