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著者 (5件)：
資料名：
巻： 89 号： 2 ページ： 022909-022909-3 発行年： 2006年07月10日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902266339035239
整理番号：06A0552220
n型4H-SiCエピタキシャルウエハにおける熱酸化物の信頼性と転位との相関
Correlation between reliability of thermal oxides and dislocations in n-type 4H-SiC epitaxial wafers
SENZAKI Junji
(Power Electronics Res. Center, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., AIST Tsukuba Central 2 ...)
,
KOJIMA Kazutoshi
(Power Electronics Res. Center, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., AIST Tsukuba Central 2 ...)
,
KATO Tomohisa
(Power Electronics Res. Center, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., AIST Tsukuba Central 2 ...)
,
SHIMOZATO Atsushi
(Power Electronics Res. Center, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., AIST Tsukuba Central 2 ...)
,
FUKUDA Kenji
(Power Electronics Res. Center, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., AIST Tsukuba Central 2 ...)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 89 号： 2 ページ： 022909-022909-3 発行年： 2006年07月10日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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