Sorry, this section is only available in Japanese.
前のページに戻る この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写(冊子体のコピー)をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID:200902266486578299   整理番号:07A1231164

ゲート注入トランジスタ(GIT)-伝導度変調を利用する常時オフAlGaN/GaN電力トランジスタ

Gate Injection Transistor (GIT)-A Normally-Off AlGaN/GaN Power Transistor Using Conductivity Modulation
著者 (9件):
UEMOTO Yasuhiro
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN)
HIKITA Masahiro
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN)
UENO Hiroaki
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN)
MATSUO Hisayoshi
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN)
ISHIDA Hidetoshi
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN)
YANAGIHARA Manabu
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN)
UEDA Tetsuzo
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN)
TANAKA Tsuyoshi
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN)
UEDA Daisuke
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN)

資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)

巻: 54  号: 12  ページ: 3393-3399  発行年: 2007年12月 
JST資料番号: C0222A  ISSN: 0018-9383  CODEN: IETDAI  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写(コピー)して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写(コピー)は郵送またはFAXでお送りします

※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。