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J-GLOBAL ID：200902266738735376 整理番号：08A0575009

単一エネルギー陽電子ビームにより調べたErドープGaN中の空格子点型欠陥

Vacancy-type defects in Er-doped GaN studied by a monoenergetic positron beam

著者 (10件)：

UEDONO A.

(Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki, 305-8573, JPN)

,

SHAOQIANG C.

(Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki, 305-8573, JPN)

,

JONGWON S.

(Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki, 305-8573, JPN)

,

ITO K.

(Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki, 305-8573, JPN)

,

NAKAMORI H.

(Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki, 305-8573, JPN)

,

HONDA N.

(Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki, 305-8573, JPN)

,

TOMITA S.

(Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki, 305-8573, JPN)

,

AKIMOTO K.

(Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki, 305-8573, JPN)

,

KUDO H.

(Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki, 305-8573, JPN)

,

ISHIBASHI S.

(Res. Inst. for Computational Sciences, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, Ibaraki ...)

資料名：

Journal of Applied Physics (Journal of Applied Physics)

巻： 103 号： 10 ページ： 104505 発行年： 2008年05月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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