文献
J-GLOBAL ID:200902266938050416
整理番号:03A0782197
Au/n-GaN Schottkyダイオードの性能に対する螺旋転位の影響に関する実験的研究とモデル化
Experimental study and modeling of the influence of screw dislocations on the performance of Au/n-GaN Schottky diodes
著者 (5件):
HUANG Y
(Univ. Hong Kong, Hong Kong, CHN)
,
CHEN X D
(Univ. Hong Kong, Hong Kong, CHN)
,
FUNG S
(Univ. Hong Kong, Hong Kong, CHN)
,
BELING C D
(Univ. Hong Kong, Hong Kong, CHN)
,
LING C C
(Univ. Hong Kong, Hong Kong, CHN)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
94
号:
9
ページ:
5771-5775
発行年:
2003年11月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)