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著者 (11件)：
資料名：
巻： 45 号： 8A ページ： 6225-6230 発行年： 2006年08月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902267155474058
整理番号：06A0693634
部分的にシリカで覆われた白金のゲート電極を持つしきい電圧の低いHfOxN誘電体型pチャンネル金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ
Low-Threshold-Voltage HfOxN p-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors with Partially Silicided Platinum Gate Electrode
KADOSHIMA Masaru
(Assoc. of Super-Advanced Electronics Technol. (ASET), Ibaraki, JPN)
,
NABATAME Toshihide
(Assoc. of Super-Advanced Electronics Technol. (ASET), Ibaraki, JPN)
,
IWAMOTO Kunihiko
(Assoc. of Super-Advanced Electronics Technol. (ASET), Ibaraki, JPN)
,
MISE Nobuyuki
(Assoc. of Super-Advanced Electronics Technol. (ASET), Ibaraki, JPN)
,
OTA Hiroyuki
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
OGAWA Arito
(Assoc. of Super-Advanced Electronics Technol. (ASET), Ibaraki, JPN)
,
TAKAHASHI Masashi
(Assoc. of Super-Advanced Electronics Technol. (ASET), Ibaraki, JPN)
,
IKEDA Minoru
(Assoc. of Super-Advanced Electronics Technol. (ASET), Ibaraki, JPN)
,
SATAKE Hideki
(Assoc. of Super-Advanced Electronics Technol. (ASET), Ibaraki, JPN)
,
TORIUMI Akira
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
TORIUMI Akira
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 45 号： 8A ページ： 6225-6230 発行年： 2006年08月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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