文献
J-GLOBAL ID:200902269315959285
整理番号:03A0394425
MOSFETからのホットキャリア誘起光電子放出のスペクトル解析のためのテスト構造
A Test Structure for Spectrum Analysis of Hot-Carrier-Induced Photoemission From MOSFETs
著者 (6件):
MATSUDA T
(Toyama Prefectural Univ., Toyama, JPN)
,
OHZONE T
(Okayama Prefectural Univ., Okayama, JPN)
,
ODANAKA S
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
YAMASHITA K
(Matsushita Electric Industrial Co. Ltd., Kyoto, JPN)
,
KOIKE N
(Matsushita Electric Industrial Co. Ltd., Kyoto, JPN)
,
TATSUUMA K
(Matsushita Electric Industrial Co. Ltd., Kyoto, JPN)
資料名:
IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing
(IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing)
巻:
16
号:
2
ページ:
233-238
発行年:
2003年05月
JST資料番号:
T0521A
ISSN:
0894-6507
CODEN:
ITSMED
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)