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著者 (9件)：
資料名：
巻： 32 号： 8 ページ： 855-860 発行年： 2003年08月
JST資料番号： D0277B ISSN： 0361-5235 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902269642516591
整理番号：03A0564061
多孔質のSiCとGaNの基板の上のGaNの成長
Growth of GaN on Porous SiC and GaN Substrates
INOKI C K
(Univ. Albany, NY)
,
KUAN T S
(Univ. Albany, NY)
,
LEE C D
(Carnegie Mellon Univ., PA)
,
SAGAR A
(Carnegie Mellon Univ., PA)
,
FEENSTRA R M
(Carnegie Mellon Univ., PA)
,
KOLESKE D D
(Sandia National Lab., NM)
,
DIAZ D J
(Univ. Illinois, IL)
,
BOHN P W
(Univ. Illinois, IL)
,
ADESIDA I
(Univ. Illinois, IL)
資料名：
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻： 32 号： 8 ページ： 855-860 発行年： 2003年08月
JST資料番号： D0277B ISSN： 0361-5235 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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