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資料名：
巻： 45 号： 9A ページ： 7063-7079 発行年： 2006年09月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902270622237074
整理番号：06A0789440
Auger電子分光法と組み合わせた反射高速電子回折により調べたSi(001)表面上の非常に薄い酸化物の成長と分解の速度論の速度律速反応
Rate-Limiting Reactions of Growth and Decomposition Kinetics of Very Thin Oxides on Si(001) Surfaces Studied by Reflection High-Energy Electron Diffraction Combined with Auger Electron Spectroscopy
OGAWA Shuichi
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
TAKAKUWA Yuji
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
TAKAKUWA Yuji
(JST-CREST, Sendai, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 45 号： 9A ページ： 7063-7079 発行年： 2006年09月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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