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資料名：
巻： 18 号： 22 ページ： 3029-3032 発行年： 2006年11月17日
JST資料番号： W0001A ISSN： 0935-9648 CODEN： ADVMEW 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902272157316186
整理番号：06A1045584
ポリ(2,5-ビス(2-チエニル)-3,6-ジアルキルチエノ[3,2-b]チオフェン)-薄膜トランジスタ用の高移動度半導体
Poly(2,5-bis(2-thienyl)-3,6-dialkylthieno[3,2-b]thiophene)s-High-Mobility Semiconductors for Thin-Film Transistors
LI Yuning
(Xerox Res. Centre of Canada, ON, CAN)
,
WU Yiliang
(Xerox Res. Centre of Canada, ON, CAN)
,
LIU Ping
(Xerox Res. Centre of Canada, ON, CAN)
,
BIRAU Maria
(Xerox Res. Centre of Canada, ON, CAN)
,
PAN Hualong
(McMaster Univ., ON, CAN)
,
ONG Beng S
(Xerox Res. Centre of Canada, ON, CAN)
資料名：
Advanced Materials
(Advanced Materials)
巻： 18 号： 22 ページ： 3029-3032 発行年： 2006年11月17日
JST資料番号： W0001A ISSN： 0935-9648 CODEN： ADVMEW 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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