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著者 (5件)：
資料名：
巻： 156 号： 12 ページ： D543-D547 発行年： 2009年
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902273831379136
整理番号：09A1295045
湿式化学エッチングによるSi中の100μm深さの垂直細孔の形成およびCu電着
Formation of 100 μm Deep Vertical Pores in Si Wafers by Wet Etching and Cu Electrodeposition
LEE Chia-Lung
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
TSURU Shinsuke
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
KANDA Yuji
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
IKEDA Shigeru
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
MATSUMURA Michio
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名：
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻： 156 号： 12 ページ： D543-D547 発行年： 2009年
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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