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著者 (12件)：
資料名：
巻： 52 号： 9 ページ： 2046-2053 発行年： 2005年09月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902273955432183
整理番号：05A0771229
独立DG MOSFETのための実証,解析及びデバイス設計考察
Demonstration, Analysis, and Device Design Considerations for Independent DG MOSFETs
MASAHARA Meishoku
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
LIU Yongxun
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
SAKAMOTO Kunihiro
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
ENDO Kazuhiko
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
MATSUKAWA Takashi
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
ISHII Kenichi
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
SEKIGAWA Toshihiro
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
YAMAUCHI Hiromi
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
TANOUE Hisao
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
KANEMARU Seigo
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
KOIKE Hanpei
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
SUZUKI Eiichi
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 52 号： 9 ページ： 2046-2053 発行年： 2005年09月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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