文献
J-GLOBAL ID:200902273986455513
整理番号:05A0734666
高角環状暗視野走査型透過型電子顕微鏡による歪んだAl0.14Ga0.86N/GaN超格子の各層に対する厚みと格子変形の決定
Determination of thickness and lattice distortion for the individual layer of strained Al0.14Ga0.86N/GaN superlattice by high-angle annular dark-field scanning transmission electron microscopy
著者 (7件):
SHIOJIRI M.
(Kyoto Inst. of Technol., Kyoto, JPN)
,
CEH M.
(Joef Stefan Inst., Ljubljana, SVN)
,
STURM S.
(Joef Stefan Inst., Ljubljana, SVN)
,
CHUO C. C.
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
,
HSU J. T.
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
,
YANG J. R.
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
SAIJO H.
(Kyoto Inst. of Technol., Kyoto, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
87
号:
3
ページ:
031914.1-031914.3
発行年:
2005年07月18日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)