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文献
J-GLOBAL ID:200902273986455513   整理番号:05A0734666

高角環状暗視野走査型透過型電子顕微鏡による歪んだAl0.14Ga0.86N/GaN超格子の各層に対する厚みと格子変形の決定

Determination of thickness and lattice distortion for the individual layer of strained Al0.14Ga0.86N/GaN superlattice by high-angle annular dark-field scanning transmission electron microscopy
著者 (7件):
SHIOJIRI M.
(Kyoto Inst. of Technol., Kyoto, JPN)
CEH M.
(Joef Stefan Inst., Ljubljana, SVN)
STURM S.
(Joef Stefan Inst., Ljubljana, SVN)
CHUO C. C.
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
HSU J. T.
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
YANG J. R.
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
SAIJO H.
(Kyoto Inst. of Technol., Kyoto, JPN)

資料名:
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

巻: 87  号:ページ: 031914.1-031914.3  発行年: 2005年07月18日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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