文献
J-GLOBAL ID:200902274977880062
整理番号:07A1191176
酸素ラジカルを用いた反応性RFマグネトロンスパッタリングによるTiO2薄膜の成長
Growth of TiO2 thin film by reactive RF magnetron sputtering using oxygen radical
著者 (7件):
OGAWA H.
(Dep. of Applied Physics, Tokyo Univ. of Sci., 1-3 Kagurazaka, Shinjuku, Tokyo 162-8601, JPN)
,
HIGUCHI T.
(Dep. of Applied Physics, Tokyo Univ. of Sci., 1-3 Kagurazaka, Shinjuku, Tokyo 162-8601, JPN)
,
NAKAMURA A.
(Dep. of Applied Physics, Tokyo Univ. of Sci., 1-3 Kagurazaka, Shinjuku, Tokyo 162-8601, JPN)
,
TOKITA S.
(Dep. of Applied Physics, Tokyo Univ. of Sci., 1-3 Kagurazaka, Shinjuku, Tokyo 162-8601, JPN)
,
MIYAZAKI D.
(Dep. of Applied Physics, Tokyo Univ. of Sci., 1-3 Kagurazaka, Shinjuku, Tokyo 162-8601, JPN)
,
HATTORI T.
(Dep. of Applied Physics, Tokyo Univ. of Sci., 1-3 Kagurazaka, Shinjuku, Tokyo 162-8601, JPN)
,
TSUKAMOTO T.
(Dep. of Applied Physics, Tokyo Univ. of Sci., 1-3 Kagurazaka, Shinjuku, Tokyo 162-8601, JPN)
資料名:
Journal of Alloys and Compounds
(Journal of Alloys and Compounds)
巻:
449
号:
1-2
ページ:
375-378
発行年:
2008年01月31日
JST資料番号:
D0083A
ISSN:
0925-8388
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)