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著者 (5件)：
資料名：
巻： 46 号： 4B ページ： 2226-2230 発行年： 2007年04月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902276715148380
整理番号：07A0478851
低電力スピン輸送磁気抵抗ランダムアクセスメモリの選択ワード線ブートストラップ
Low Power Spin-Transfer Magnetoresistive Random Access Memory Writing Scheme with Selective Word Line Bootstrap
SUGIMURA Takeaki
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
SAKAGUCHI Takeshi
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
FUKUSHIMA Takafumi
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
TANAKA Tetsu
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
KOYANAGI Mitsumasa
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 46 号： 4B ページ： 2226-2230 発行年： 2007年04月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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