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J-GLOBAL ID：200902276807007561 整理番号：07A0210630

Si(100)上の超真空化学蒸着による高品質Geエピ層の成長のための超薄低温SiGeバッファ

Ultrathin low temperature SiGe buffer for the growth of high quality Ge epilayer on Si(100) by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition

著者 (8件)：

LOH T. H.

(Semiconductor Process Technol., Inst. of Microelectronics, Science-Park II, Singapore 117685, SGP)

,

NGUYEN H. S.

(Semiconductor Process Technol., Inst. of Microelectronics, Science-Park II, Singapore 117685, SGP)

,

TUNG C. H.

(Semiconductor Process Technol., Inst. of Microelectronics, Science-Park II, Singapore 117685, SGP)

,

TRIGG A. D.

(Semiconductor Process Technol., Inst. of Microelectronics, Science-Park II, Singapore 117685, SGP)

,

LO G. Q.

(Semiconductor Process Technol., Inst. of Microelectronics, Science-Park II, Singapore 117685, SGP)

,

BALASUBRAMANIAN N.

(Semiconductor Process Technol., Inst. of Microelectronics, Science-Park II, Singapore 117685, SGP)

,

KWONG D. L.

(Semiconductor Process Technol., Inst. of Microelectronics, Science-Park II, Singapore 117685, SGP)

,

TRIPATHY S.

(Inst. of Materials Res. and Engineering, 3 Res. Link, Singapore 117602, SGP)

資料名：

Applied Physics Letters (Applied Physics Letters)

巻： 90 号： 9 ページ： 092108-092108-3 発行年： 2007年02月26日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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