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著者 (5件)：
資料名：
巻： 492 号： 1-2 ページ： 207-211 発行年： 2005年12月01日
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902277939634251
整理番号：05A0825793
テトラメチルシラン+H2を用いたイオン支援プラズマ化学蒸着によるSiC膜の堆積
Deposition of SiC films by ion-enhanced plasma chemical vapor deposition using tetramethylsilane+H2
YOSHINO M.
(Hokkaido Polytechnic Coll., Zenibako 3-190, Otaru 047-0292, JPN)
,
SHIMOZUMA M.
(Dep. of Health Sciences, School of Medicine, Hokkaido Univ., Sapporo 060-0812, JPN)
,
DATE H.
(Dep. of Health Sciences, School of Medicine, Hokkaido Univ., Sapporo 060-0812, JPN)
,
ITOH H.
(Muroran Inst. of Technol., Muroran 050-8585, JPN)
,
TAGASHIRA H.
(Muroran Inst. of Technol., Muroran 050-8585, JPN)
資料名：
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻： 492 号： 1-2 ページ： 207-211 発行年： 2005年12月01日
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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