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資料名：
巻： 47 号： 9 Issue 1 ページ： 7230-7235 発行年： 2008年09月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902279026755502
整理番号：08A0996318
RF反応性スパッタリングで作製した窒素ドープ酸化タングステン薄膜のエレクトロクロミズムと電子構造
Electrochromism and Electronic Structures of Nitrogen Doped Tungsten Oxide Thin Films Prepared by RF Reactive Sputtering
NAKAGAWA Koichi
(Meiji Univ., Kawasaki, JPN)
,
MIURA Noboru
(Meiji Univ., Kawasaki, JPN)
,
MATSUMOTO Setsuko
(Meiji Univ., Kawasaki, JPN)
,
NAKANO Ryotaro
(Meiji Univ., Kawasaki, JPN)
,
MATSUMOTO Hironaga
(Meiji Univ., Kawasaki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 47 号： 9 Issue 1 ページ： 7230-7235 発行年： 2008年09月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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