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文献
J-GLOBAL ID:200902279279755940   整理番号:09A0004668

3次元マルチチップパッケージにおけるSi貫通ビア相互接続のためのCu拡散に対するバリア層としての3-アミノプロピルトリエトキシシランを用いたSiO2上のNi-B無電解めっき

Electroless Ni-B plating on SiO2 with 3-aminopropyl-triethoxysilane as a barrier layer against Cu diffusion for through-Si via interconnections in a 3-dimensional multi-chip package
著者 (4件):
IKEDA Akihiro
(Graduate School of Information Sci. and Electrical Engineering, Kyushu Univ., Moto-oka 744 Nishi-ku, Fukuoka, JPN)
SAKAMOTO Atsushi
(Graduate School of Information Sci. and Electrical Engineering, Kyushu Univ., Moto-oka 744 Nishi-ku, Fukuoka, JPN)
HATTORI Reiji
(Graduate School of Information Sci. and Electrical Engineering, Kyushu Univ., Moto-oka 744 Nishi-ku, Fukuoka, JPN)
KUROKI Yukinori
(Graduate School of Information Sci. and Electrical Engineering, Kyushu Univ., Moto-oka 744 Nishi-ku, Fukuoka, JPN)

資料名:
Thin Solid Films  (Thin Solid Films)

巻: 517  号:ページ: 1740-1745  発行年: 2009年01月01日 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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