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著者 (4件)：
資料名：
巻： 517 号： 5 ページ： 1740-1745 発行年： 2009年01月01日
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902279279755940
整理番号：09A0004668
3次元マルチチップパッケージにおけるSi貫通ビア相互接続のためのCu拡散に対するバリア層としての3-アミノプロピルトリエトキシシランを用いたSiO2上のNi-B無電解めっき
Electroless Ni-B plating on SiO2 with 3-aminopropyl-triethoxysilane as a barrier layer against Cu diffusion for through-Si via interconnections in a 3-dimensional multi-chip package
IKEDA Akihiro
(Graduate School of Information Sci. and Electrical Engineering, Kyushu Univ., Moto-oka 744 Nishi-ku, Fukuoka, JPN)
,
SAKAMOTO Atsushi
(Graduate School of Information Sci. and Electrical Engineering, Kyushu Univ., Moto-oka 744 Nishi-ku, Fukuoka, JPN)
,
HATTORI Reiji
(Graduate School of Information Sci. and Electrical Engineering, Kyushu Univ., Moto-oka 744 Nishi-ku, Fukuoka, JPN)
,
KUROKI Yukinori
(Graduate School of Information Sci. and Electrical Engineering, Kyushu Univ., Moto-oka 744 Nishi-ku, Fukuoka, JPN)
資料名：
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻： 517 号： 5 ページ： 1740-1745 発行年： 2009年01月01日
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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