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著者 (5件)：
資料名：
巻： 45 号： 2A ページ： 909-911 発行年： 2006年02月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902279301716016
整理番号：06A0168386
きわめて低い酸素分圧の下でのCe3+ドープLi6Gd(BO3)3単結晶の成長
Growth of Ce3+-doped Li6Gd(BO3)3 Single Crystals under Ultralow Oxygen Partial Pressure
NISHIMURA Hiroshi
(NEC Machinery Co., Ltd., Shiga, JPN)
,
NISHIMURA Hiroshi
(Univ. Yamanashi, Kofu, JPN)
,
HOSOYA Syoichi
(Univ. Yamanashi, Kofu, JPN)
,
TAKASHIMA Hideaki
(Univ. Yamanashi, Kofu, JPN)
,
KANNO Yoshinori
(Univ. Yamanashi, Kofu, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 45 号： 2A ページ： 909-911 発行年： 2006年02月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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