文献
J-GLOBAL ID:200902279743004490
整理番号:03A0394482
レジオレギュラーポリ(3-ヘキシルチオフェン)電界効果トランジスタからの増大した移動度
Increased mobility from regioregular poly(3-hexylthiophene) field-effect transistors
著者 (4件):
WANG G
(Univ. California, California)
,
SWENSEN J
(Univ. California, California)
,
MOSES D
(Univ. California, California)
,
HEEGER A J
(Univ. California, California)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
93
号:
10,Pt.1
ページ:
6137-6141
発行年:
2003年05月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)